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半導體光子學與技術(shù) · 英文版雜志省級期刊

Semiconductor Photonics and Technology

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  • 季刊 出版周期
  • 50-1093/TN CN
  • 1007-0206 ISSN
主管單位:信息產(chǎn)業(yè)部
主辦單位:重慶光電技術(shù)研究所
創(chuàng)刊時間:1995
開本:B5
出版地:重慶
語種:英語
審稿周期:1個月內(nèi)
類別:科技
數(shù)據(jù)庫收錄:

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半導體光子學與技術(shù) · 英文版雜志簡介

本刊以英文形式刊載下列領(lǐng)域的理論、設(shè)計、制造工藝、應(yīng)用、性能影響和可靠性。它們是光通信器件及系統(tǒng)、新型光電子器件及工藝技術(shù)、專用光電子器件及系統(tǒng)、光電子集成和光集成、光計算與光互連、光電控測技術(shù)、光傳感技術(shù)等。

半導體光子學與技術(shù) · 英文版雜志欄目設(shè)置

研究報告、性能分析、產(chǎn)品介紹、光電技術(shù)應(yīng)用、學術(shù)爭鳴

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(三)作者與單位文稿作者署名人數(shù)一般不超過5人,作者單位不超過3個。第一作者須附簡介,包括工作單位、地址、郵編、年齡、性別、民族、學歷、職稱、職務(wù);其它作者附作者單位、地址和郵編。

(四)摘要和關(guān)鍵詞所有論文均要求有中文摘要和關(guān)鍵詞,摘要用第三人稱撰寫,分目的、方法、結(jié)果及結(jié)論四部分,完整準確概括文章的實質(zhì)性內(nèi)容,以150字左右為宜,關(guān)鍵詞一般3~6個。

(五)標題層次一級標題用“一、二、……”來標識,二級標題用“(一)、(二)、……”來標識,三級標題用“1.2.”來標識,四級標題用“(1)、(2)”來標識。一般不宜超過4層。標題行和每段正文首行均空二格。各級標題末尾均不加標點。

(六)計量單位、數(shù)字、符號文稿必須使用法定的計量單位符號。

(七)參考文獻

限為作者親自閱讀、公開發(fā)表過的文獻,只選主要的列入,采用順序編碼制著錄,按其文中出現(xiàn)的先后順序用阿拉伯數(shù)字編號,列于文末,并依次將各編號外加方括號置于文中引用處的右上角。書寫格式為:作者.文題.刊名年份;年(期):起始頁.網(wǎng)上參考材料序號.作者.文題網(wǎng)址(至子--欄目).上傳年月。

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半導體光子學與技術(shù) · 英文版雜志范例

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